SUP33N20-60P-E3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SUP33N20-60P-E3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SUP33N20-60P-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 33 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.06 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220AB Fall Time: 9 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.12 W Rise Time: 170 ns Factory Pack Quantity: 500 Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SUP33N20-60P-E3.pdf
Файл формата Pdf 102,98 KB